نام کتاب: Electrical Properties of Indium Arsenide Nanowires and Their Field-Effect Transistors
نویسنده: Mengqi Fu
ویرایش: ۱
سال انتشار: ۲۰۱۸
فرمت: PDF
تعداد صفحه: ۱۰۲
انتشارات: Springer
Description About Electrical Properties of Indium Arsenide Nanowires and Their Field-Effect Transistors From Amazon
This book explores the impacts of important material parameters on the electrical properties of indium arsenide (InAs) nanowires, which offer a promising channel material for low-power electronic devices due to their small bandgap and high electron mobility. Smaller diameter nanowires are needed in order to scale down electronic devices and improve their performance. However, to date the properties of thin InAs nanowires and their sensitivity to various factors were not known.
The book presents the first study of ultrathin InAs nanowires with diameters below 10 nm are studied, for the first time, establishing the channel in field-effect transistors (FETs) and the correlation between nanowire diameter and device performance. Moreover, it develops a novel method for directly correlating the atomic-level structure with the properties of individual nanowires and their device performance. Using this method, the electronic properties of InAs nanowires and the performance of the FETs they are used in are found to change with the crystal phases (wurtzite, zinc-blend or a mix phase), the axis direction and the growth method. These findings deepen our understanding of InAs nanowires and provide a potential way to tailor device performance by controlling the relevant parameters of the nanowires and devices.
درباره کتاب Electrical Properties of Indium Arsenide Nanowires and Their Field-Effect Transistors ترجمه شده از گوگل
این کتاب به بررسی تأثیر پارامترهای مهم مواد بر خصوصیات الکتریکی نانوسیمهای آرسنید ایندیم (InAs) می پردازد که به دلیل داشتن باند پهن کوچک و تحرک الکترونی در آنها ، یک کانال کانال امیدوارکننده برای وسایل الکترونیکی کم مصرف ارائه می دهند. برای مقیاس بندی دستگاههای الکترونیکی و بهبود عملکرد آنها ، نانوسیمهای با قطر کوچکتر مورد نیاز است. با این حال ، تا به امروز از ویژگی های نانوسیم های نازک InAs و حساسیت آنها به عوامل مختلف شناخته نشده بود.
این کتاب اولین مطالعه نانوسیمهای ultrathin InAs با قطرهای زیر ۱۰ نانومتر را مورد بررسی قرار داده است ، برای اولین بار ، ایجاد کانال در ترانزیستورهای دارای اثر میدانی (FET) و ارتباط بین قطر نانوسیم و عملکرد دستگاه. علاوه بر این ، این یک روش جدید برای ارتباط مستقیم ساختار سطح اتمی با خواص نانوسیمهای فردی و عملکرد دستگاه آنها ایجاد می کند. با استفاده از این روش ، خصوصیات الکترونیکی نانوسیمهای InAs و عملکرد FET هایی که در آنها استفاده می شود با مراحل کریستالی (وورتزیت ، روی-مخلوط یا یک فاز مخلوط) ، جهت محورها و روش رشد تغییر می یابد. این یافته ها درک ما از نانوسیم های InAs را عمیق تر کرده و با کنترل پارامترهای مربوطه از نانوسیم ها و دستگاه ها ، راهی بالقوه برای خیاط عملکرد دستگاه فراهم می کند.
[box type=”info”]
جهت دسترسی به توضیحات این کتاب در Amazon اینجا کلیک کنید.
در صورت خراب بودن لینک کتاب، در قسمت نظرات همین مطلب گزارش دهید.