دانلود کتاب GaN Transistors for Efficient Power Conversion

اکتبر 25, 2019

نام کتاب: GaN Transistors for Efficient Power Conversion

نویسنده: Alex Lidow, Johan Strydom , de Rooij, Michael, David Reusch

ویرایش: ۲

سال انتشار: ۲۰۱۴

فرمت: PDF

تعداد صفحه: ۲۵۶

انتشارات: Wiley

Description About Book GaN Transistors for Efficient Power Conversion From Amazon

Gallium nitride (GaN) is an emerging technology that promises to displace silicon MOSFETs in the next generation of power transistors. As silicon approaches its performance limits, GaN devices offer superior conductivity and switching characteristics, allowing designers to greatly reduce system power losses, size, weight, and cost.

This timely second edition has been substantially expanded to keep students and practicing power conversion engineers ahead of the learning curve in GaN technology advancements. Acknowledging that GaN transistors are not one-to-one replacements for the current MOSFET technology, this book serves as a practical guide for understanding basic GaN transistor construction, characteristics, and applications. Included are discussions on the fundamental physics of these power semiconductors, layout and other circuit design considerations, as well as specific application examples demonstrating design techniques when employing GaN devices.

With higher-frequency switching capabilities, GaN devices offer the chance to increase efficiency in existing applications such as DC–DC conversion, while opening possibilities for new applications including wireless power transfer and envelope tracking. This book is an essential learning tool and reference guide to enable power conversion engineers to design energy-efficient, smaller and more cost-effective products using GaN transistors.

Key features:

Written by leaders in the power semiconductor field and industry pioneers in GaN power transistor technology and applications.
Contains useful discussions on device–circuit interactions, which are highly valuable since the new and high performance GaN power transistors require thoughtfully designed drive/control circuits in order to fully achieve their performance potential.
Features practical guidance on formulating specific circuit designs when constructing power conversion systems using GaN transistors – see companion website for further details.
A valuable learning resource for professional engineers and systems designers needing to fully understand new devices as well as electrical engineering students.

درباره کتاب GaN Transistors for Efficient Power Conversion ترجمه شده از گوگل

نیترید گالیم (GaN) یک فناوری نوظهور است که وعده جایگزینی MOSFET های سیلیکون در نسل بعدی ترانزیستورهای برق را دارد. با نزدیک شدن سیلیکون به محدوده عملکرد خود ، دستگاه های GaN هدایت و ویژگی های سوئیچینگ برتر را ارائه می دهند ، به طراحان این امکان را می دهد تا تلفات ، اندازه ، وزن و هزینه سیستم را تا حد زیادی کاهش دهند.

این نسخه دوم به موقع بطور قابل ملاحظه ای گسترش یافته است تا دانشجویان و مهندسین تبدیل نیرو در پیشروی از منحنی یادگیری در پیشرفت های فناوری GaN جلوتر باشد. اذعان داشت که ترانزیستورهای GaN جایگزینی یک به یک برای فناوری فعلی MOSFET نیستند ، این کتاب به عنوان یک راهنمای عملی برای درک ساخت و سازهای اساسی ترانزیستور GaN ، ویژگی ها و برنامه های کاربردی کاربرد دارد. بحث در مورد فیزیک اساسی این نیمه هادی های قدرت ، طرح و دیگر ملاحظات طراحی مدار ، و همچنین نمونه برنامه های خاص نشان دادن تکنیک های طراحی هنگام استفاده از دستگاه های GaN است.

با قابلیت تعویض فرکانس بالاتر ، دستگاه های GaN این شانس را دارند که در برنامه های موجود مانند تبدیل DC-DC ، کارایی خود را افزایش دهند ، ضمن اینکه امکاناتی را برای برنامه های جدید از جمله انتقال برق بی سیم و ردیابی پاکت فراهم می کند. این کتاب یک ابزار یادگیری و راهنمای مرجع ضروری است که مهندسان تبدیل انرژی را قادر می سازد با استفاده از ترانزیستورهای GaN محصولاتی با صرفه اقتصادی ، کوچکتر و با صرفه تر طراحی کنند.

ویژگی های اصلی:

نوشته شده توسط رهبران در زمینه نیمه هادی قدرت و پیشگامان صنعت در فناوری و برنامه های ترانزیستور قدرت GaN.
دارای مباحث مفیدی در مورد فعل و انفعالات دستگاه – مدار است ، که بسیار با ارزش هستند زیرا ترانزیستورهای قدرت GaN با عملکرد بالا و جدید ، برای دستیابی به پتانسیل عملکرد خود ، نیاز به مدارهای درایو / کنترل متفکر طراحی شده دارند.
ویژگی های راهنمایی عملی در مورد فرموله کردن مدارهای مدار خاص هنگام ساخت سیستم های تبدیل نیرو با استفاده از ترانزیستورهای GaN – برای جزئیات بیشتر به وب سایت همراه مراجعه کنید.
یک منبع یادگیری ارزشمند برای مهندسین حرفه ای و طراحان سیستم نیاز به درک کامل دستگاه های جدید و همچنین دانشجویان مهندسی برق دارد.