نام کتاب: Stress And Strain Engineering At Nanoscale In Semiconductor Devices
نویسنده: Chinmay K. Maiti
ویرایش: ۱
سال انتشار: ۲۰۲۱
کد ISBN کتاب: ۰۳۶۷۵۱۹۲۹۱, ۹۷۸۰۳۶۷۵۱۹۲۹۲,
فرمت: PDF
تعداد صفحه: ۲۶۰
حجم کتاب: ۳۸ مگابایت
کیفیت کتاب: OCR
انتشارات: CRC Press
Description About Book Stress And Strain Engineering At Nanoscale In Semiconductor Devices From Amazon
Anticipating a limit to the continuous miniaturization (More-Moore), intense research efforts are being made to co-integrate various functionalities (More-than-Moore) in a single chip. Currently, strain engineering is the main technique used to enhance the performance of advanced semiconductor devices. Written from an engineering applications standpoint, this book encompasses broad areas of semiconductor devices involving the design, simulation, and analysis of Si, heterostructure silicongermanium (SiGe), and III-N compound semiconductor devices. The book provides the background and physical insight needed to understand the new and future developments in the technology CAD (TCAD) design at the nanoscale.
درباره کتاب Stress And Strain Engineering At Nanoscale In Semiconductor Devices ترجمه شده از گوگل
با پیش‌بینی محدودیتی برای کوچک‌سازی مداوم (More-Moore)، تلاش‌های تحقیقاتی شدیدی برای ادغام قابلیت‌های مختلف (بیش از مور) در یک تراشه واحد در حال انجام است. در حال حاضر، مهندسی کرنش تکنیک اصلی مورد استفاده برای افزایش عملکرد دستگاه های نیمه هادی پیشرفته است. این کتاب که از دیدگاه کاربردهای مهندسی نوشته شده است، حوزه های وسیعی از دستگاه های نیمه هادی را در بر می گیرد که شامل طراحی، شبیه سازی و تجزیه و تحلیل Si، سیلیکونژرمانیوم ناهمسان (SiGe) و دستگاه های نیمه هادی مرکب III-N می شود. این کتاب زمینه و بینش فیزیکی مورد نیاز برای درک پیشرفت‌های جدید و آینده در طراحی فناوری CAD (TCAD) در مقیاس نانو را فراهم می‌کند.
[box type=”info”]
جهت دسترسی به توضیحات این کتاب در Amazon اینجا کلیک کنید.
در صورت خراب بودن لینک کتاب، در قسمت نظرات همین مطلب گزارش دهید.
با خرید اشتراک، بدون محدودیت، کتاب دانلود کن!
