نام کتاب: High-Speed Devices And Circuits With Thz Applications
نویسنده: Jung Han Choi
ویرایش: ۱
سال انتشار: ۲۰۱۴
کد ISBN کتاب: ۱۴۶۶۵۹۰۱۱۴, ۹۷۸۱۴۶۶۵۹۰۱۱۳
فرمت: PDF
تعداد صفحه: ۲۴۶
انتشارات: Crc Press
Description About Book High-Speed Devices And Circuits With Thz Applications From Amazon
Presenting the cutting-edge results of new device developments and circuit implementations, High-Speed Devices and Circuits with THz Applications covers the recent advancements of nano devices for terahertz (THz) applications and the latest high-speed data rate connectivity technologies from system design to integrated circuit (IC) design, providing relevant standard activities and technical specifications.
Featuring the contributions of leading experts from industry and academia, this pivotal work:
– Discusses THz sensing and imaging devices based on nano devices and materials
– Describes silicon on insulator (SOI) multigate nanowire field-effect transistors (FETs)
– Explains the theory underpinning nanoscale nanowire metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs), simulation methods, and their results
– Explores the physics of the silicon-germanium (SiGe) heterojunction bipolar transistor (HBT), as well as commercially available SiGe HBT devices and their applications
– Details aspects of THz IC design using standard silicon (Si) complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) devices, including experimental setups for measurements, detection methods, and more
An essential text for the future of high-frequency engineering, High-Speed Devices and Circuits with THz Applications offers valuable insight into emerging technologies and product possibilities that are attractive in terms of mass production and compatibility with current manufacturing facilities.
درباره کتاب High-Speed Devices And Circuits With Thz Applications ترجمه شده از گوگل
ارائه نتایج برش لبه تحولات دستگاه و پیاده سازی مدار، با سرعت بالا دستگاه ها و مدارهای جدید با نرم افزار تراهرتز را پوشش می دهد پیشرفت های اخیر از دستگاه های نانو برای تراهرتز (تراهرتز) برنامه های کاربردی و آخرین فن آوری اتصال نرخ داده با سرعت بالا از طراحی سیستم به مدار مجتمع (IC) طراحی، ارائه فعالیت های استاندارد مربوطه و مشخصات فنی.
از ویژگی های بارز سهم از کارشناسان برجسته از صنعت و دانشگاه، این کار محوری:
– در مورد تراهرتز سنجش و دستگاه های تصویر برداری بر اساس دستگاه های نانو و مواد
– او سیلیکون در عایق (SOI) ترانزیستور نانوسیمی multigate اثر میدانی (FET ها بیین)
– توضیح نظریه زیر بنای ترانزیستور در مقیاس نانو نانوسیم اکسید فلزی نیمه هادی اثر میدانی (ماسفت)، روش های شبیه سازی، و نتایج خود را
– بررسی فیزیک از سیلیکون ژرمانیوم (شده Sige) ناهمگون ترانزیستور دو قطبی (HBT)، و همچنین به عنوان تجاری در دسترس دستگاه های شده Sige HBT و برنامه های کاربردی خود
– اطلاعات از جنبه های طراحی تراهرتز IC با استفاده از سیلیکون استاندارد (SI) و اکسید فلزی مکمل نیمه هادی (CMOS) دستگاه ها از جمله تنظیم تجربی برای اندازه گیری، روش های تشخیص، و بیشتر
یک متن ضروری برای آینده مهندسی با فرکانس بالا، سرعت بالا دستگاه ها و مدارهای با نرم افزار تراهرتز پیشنهادات بینش ارزشمندی در فن آوری های نوظهور و امکانات محصول که جذاب از نظر تولید انبوه و سازگاری با امکانات تولید فعلی می باشد.
[box type=”info”]
جهت دسترسی به توضیحات این کتاب در Amazon اینجا کلیک کنید.
در صورت خراب بودن لینک کتاب، در قسمت نظرات همین مطلب گزارش دهید.
با خرید اشتراک، بدون محدودیت، کتاب دانلود کن!
