نام کتاب: Poly-Sige For Mems-Above-Cmos Sensors
نویسنده: Pilar Gonzalez Ruiz و Kristin De Meyer و Ann Witvrouw
ویرایش: ۱
سال انتشار: ۲۰۱۴
کد ISBN کتاب: ۹۷۸۹۴۰۰۷۶۷۹۸۰, ۹۷۸۹۴۰۰۷۶۷۹۹۷
فرمت: PDF
تعداد صفحه: ۱۹۹
انتشارات: Springer Netherlands
Description About Book Poly-Sige For Mems-Above-Cmos Sensors From Amazon
Polycrystalline SiGe has emerged as a promising MEMS (Microelectromechanical Systems) structural material since it provides the desired mechanical properties at lower temperatures compared to poly-Si, allowing the direct post-processing on top of CMOS. This CMOS-MEMS monolithic integration can lead to more compact MEMS with improved performance. The potential of poly-SiGe for MEMS above-aluminum-backend CMOS integration has already been demonstrated. However, aggressive interconnect scaling has led to the replacement of the traditional aluminum metallization by copper (Cu) metallization, due to its lower resistivity and improved reliability.
Poly-SiGe for MEMS-above-CMOS sensors demonstrates the compatibility of poly-SiGe with post-processing above the advanced CMOS technology nodes through the successful fabrication of an integrated poly-SiGe piezoresistive pressure sensor, directly fabricated above 0.13 m Cu-backend CMOS. Furthermore, this book presents the first detailed investigation on the influence of deposition conditions, germanium content and doping concentration on the electrical and piezoresistive properties of boron-doped poly-SiGe. The development of a CMOS-compatible process flow, with special attention to the sealing method, is also described. Piezoresistive pressure sensors with different areas and piezoresistor designs were fabricated and tested. Together with the piezoresistive pressure sensors, also functional capacitive pressure sensors were successfully fabricated on the same wafer, proving the versatility of poly-SiGe for MEMS sensor applications. Finally, a detailed analysis of the MEMS processing impact on the underlying CMOS circuit is also presented.
درباره کتاب Poly-Sige For Mems-Above-Cmos Sensors ترجمه شده از گوگل
چندبلوری شده Sige به عنوان یک MEMS وعده (میکروالکترومکانیکی سیستم) مواد ساختاری از آن را فراهم خواص مکانیکی مورد نظر در دمای پایین تر در مقایسه با پلی سی، اجازه می دهد مستقیم پس از پردازش در بالای CMOS پدید آمده است. این CMOS-MEMS ادغام یکپارچه می تواند به MEMS جمع و جور تر با بهبود عملکرد منجر شود. پتانسیل پلی شده Sige برای MEMS بالا آلومینیوم باطن ادغام CMOS در حال حاضر نشان داده شده است. با این حال، پوسته پوسته شدن اتصال تهاجمی به جایگزینی از فلزات آلومینیوم سنتی توسط مس آبکاری، با توجه به مقاومت کمتر آن و قابلیت اطمینان بهبود یافته است.
پلی شده Sige برای سنسورهای MEMS-بالا-CMOS نشان می دهد که سازگاری پلی شده Sige با پس از پردازش بالاتر از پیشرفته گره تکنولوژی CMOS از طریق ساخت موفقیت آمیز یک سنسور فشار piezoresistive یکپارچه پلی شده Sige، به طور مستقیم بالا ۰٫۱۳ m مس باطن ساخته CMOS. علاوه بر این، این کتاب ارائه اولین تحقیقات دقیق در مورد تاثیر شرایط رسوب، محتوای ژرمانیوم و غلظت دوپینگ بر روی خواص الکتریکی و piezoresistive از بورون پلی شده Sige. توسعه یک جریان فرایند سازگار با CMOS، با توجه ویژه به روش آب بندی، نیز توصیف کرد. سنسور فشار Piezoresistive با مناطق مختلف و طرح های piezoresistor ساخته و مورد آزمایش قرار گرفتند. همراه با سنسور فشار piezoresistive، همچنین سنسور فشار خازنی کاربردی با موفقیت بر روی ویفر همان ساخته شد، اثبات تطبیق پذیری از پلی شده Sige برای MEMS سنسور برنامه های کاربردی. در نهایت، یک تجزیه و تحلیل دقیق از پردازش تاثیر بر اساسی مدار CMOS MEMS نیز ارائه شده است.
[box type=”info”]
جهت دسترسی به توضیحات این کتاب در Amazon اینجا کلیک کنید.
در صورت خراب بودن لینک کتاب، در قسمت نظرات همین مطلب گزارش دهید.
با خرید اشتراک، بدون محدودیت، کتاب دانلود کن!
