نام کتاب: Reliability Of High Mobility Sige Channel Mosfets For Future Cmos Applications
نویسنده: Jacopo Franco و Ben Kaczer و Guido Groeseneken
ویرایش: ۱
سال انتشار: ۲۰۱۴
کد ISBN کتاب: ۹۷۸۹۴۰۰۷۷۶۶۲۳, ۹۷۸۹۴۰۰۷۷۶۶۳۰
فرمت: PDF
تعداد صفحه: ۱۸۷
انتشارات: Springer Netherlands
Description About Book Reliability Of High Mobility Sige Channel Mosfets For Future Cmos Applications From Amazon
Due to the ever increasing electric fields in scaled CMOS devices, reliability is becoming a showstopper for further scaled technology nodes. Although several groups have already demonstrated functional Si channel devices with aggressively scaled Equivalent Oxide Thickness (EOT) down to 5Å, a 10 year reliable device operation cannot be guaranteed anymore due to severe Negative Bias Temperature Instability.
This book focuses on the reliability of the novel (Si)Ge channel quantum well pMOSFET technology. This technology is being considered for possible implementation in next CMOS technology nodes, thanks to its benefit in terms of carrier mobility and device threshold voltage tuning. We observe that it also opens a degree of freedom for device reliability optimization. By properly tuning the device gate stack, sufficiently reliable ultra-thin EOT devices with a 10 years lifetime at operating conditions are demonstrated.
The extensive experimental datasets collected on a variety of processed 300mm wafers and presented here show the reliability improvement to be process – and architecture-independent and, as such, readily transferable to advanced device architectures as Tri-Gate (finFET) devices. We propose a physical model to understand the intrinsically superior reliability of the MOS system consisting of a Ge-based channel and a SiO2/HfO2 dielectric stack.
The improved reliability properties here discussed strongly support (Si)Ge technology as a clear frontrunner for future CMOS technology nodes.
درباره کتاب Reliability Of High Mobility Sige Channel Mosfets For Future Cmos Applications ترجمه شده از گوگل
با توجه به میدانهای الکتریکی روزافزون در دستگاه های CMOS کوچک، قابلیت اطمینان تبدیل شدن به یک مانع پییشرفت برای گره تکنولوژی مدرج بیشتر است. با اینکه گروه در حال حاضر نشان عملکردی دستگاه های کانال Si با شدت کوچک معادل ضخامت اکسید (EOT) به ۵A، ۱۰ سال عملیات دستگاه قابل اعتماد می تواند نمی با توجه به منفی شدید بی ثباتی تعصب دما تضمین شده است.
این کتاب بر روی قابلیت اطمینان رمان (سی) جنرال الکتریک کوانتومی کانال خوبی تکنولوژی pMOSFET متمرکز است. این فن آوری است که برای اجرای احتمالی در آینده گره تکنولوژی CMOS در نظر گرفته، به لطف بهره مندی خود را از لحاظ تحرک حامل و ولتاژ تنظیم آستانه دستگاه. مشاهده می کنیم که آن را نیز یک درجه آزادی برای بهینه سازی قابلیت اطمینان دستگاه باز می شود. توسط درستی تنظیم پشته دستگاه دروازه، دستگاه های EOT فوق العاده نازک به اندازه کافی قابل اعتماد با ۱۰ سال طول عمر در شرایط عملیاتی نشان داده است.
مجموعه داده های گسترده آزمایشی بر روی انواع پردازش فاصله کانونی ۳۰۰mm ویفر جمع آوری شده و ارائه شده در اینجا نشان می دهد بهبود قابلیت اطمینان به روند – و مستقل از معماری و، به عنوان مثل، به آسانی به معماری پیشرفته دستگاه به عنوان دستگاه های سه دروازه (FINFET) انتقال. ما پیشنهاد می کنیم یک مدل فیزیکی برای درک قابلیت اطمینان ذاتا برتر از سیستم MOS متشکل از یک کانال بر اساس GE-و SiO2 و / HfO2 دی الکتریک پشته.
خواص بهبود یافته قابلیت اطمینان اینجا به عنوان یک پیشتاز روشن برای گره تکنولوژی آینده CMOS مورد بحث به شدت پشتیبانی فن آوری (SI) و جنرال الکتریک.
[box type=”info”]
جهت دسترسی به توضیحات این کتاب در Amazon اینجا کلیک کنید.
در صورت خراب بودن لینک کتاب، در قسمت نظرات همین مطلب گزارش دهید.
با خرید اشتراک، بدون محدودیت، کتاب دانلود کن!
