نام کتاب: Parasitic Substrate Coupling In High Voltage Integrated Circuits
نویسنده: Pietro Buccella و Camillo Stefanucci و Maher Kayal و Jean-Michel Sallese
ویرایش: ۱
سال انتشار: ۲۰۱۸
کد ISBN کتاب: ۹۷۸۳۳۱۹۷۴۳۸۱۳, ۹۷۸۳۳۱۹۷۴۳۸۲۰
فرمت: PDF
تعداد صفحه: ۱۸۳
انتشارات: Springer International Publishing
Description About Book Parasitic Substrate Coupling In High Voltage Integrated Circuits From Amazon
This book introduces a new approach to model and predict substrate parasitic failures in integrated circuits with standard circuit design tools.
The injection of majority and minority carriers in the substrate is a recurring problem in smart power ICs containing high voltage, high current switching devices besides sensitive control, protection and signal processing circuits.
The injection of parasitic charges leads to the activation of substrate bipolar transistors. This book explores how these events can be evaluated for a wide range of circuit topologies. To this purpose, new generalized devices implemented in Verilog-A are used to model the substrate with standard circuit simulators. This approach was able to predict for the first time the activation of a latch-up in real circuits through post-layout SPICE simulation analysis.
Discusses substrate modeling and circuit-level simulation of parasitic bipolar device coupling effects in integrated circuits;
Includes circuit back-annotation of the parasitic lateral n-p-n and vertical p-n-p bipolar transistors in the substrate;
Uses Spice for simulation and characterization of parasitic bipolar transistors, latch-up of the parasitic p-n-p-n structure, and electrostatic discharge (ESD) protection devices;
Offers design guidelines to reduce couplings by adding specific protections.
درباره کتاب Parasitic Substrate Coupling In High Voltage Integrated Circuits ترجمه شده از گوگل
این کتاب یک روش جدید برای مدل معرفی و پیش بینی شکست انگل بستر در مدارهای یکپارچه شده با ابزار طراحی مدار استاندارد.
تزریق اکثریت و اقلیت حامل در بستر یک مشکل تکرار در IC های قدرت هوشمند حاوی ولتاژ بالا است، دستگاه های سوئیچینگ جریان بالا علاوه بر کنترل، حفاظت و پردازش سیگنال مدارهای حساس است.
تزریق اتهامات منجر انگلی به فعال شدن ترانزیستور دو قطبی بستر. این کتاب به بررسی چگونه این وقایع می تواند برای طیف گسترده ای از توپولوژی مدار مورد بررسی قرار. برای این منظور، دستگاه های جدید تعمیم اجرا در Verilog-A برای مدل بستر با شبیه سازی مدار استاندارد. این روش قادر به پیش بینی برای اولین بار فعال سازی یک مدار latch-up را در واقعی از طریق تجزیه و تحلیل شبیه سازی SPICE پس از طرح بود.
بحث و گفتگو می مدلسازی بستر و سطح مدار شبیه سازی دستگاه دو قطبی انگلی اقتران اثرات در مدارهای یکپارچه،
شامل مدار پشت حاشیه نویسی از انگل جانبی N-P-N و عمودی P-N-P ترانزیستور دو قطبی در بستر؛
استفاده از ادویه برای شبیه سازی و شناسایی ترانزیستور دو قطبی انگلی، لچ کردن از انگل P-N-P-N ساختار و عمل تخلیه الکترواستاتیکی (ESD) دستگاه های حفاظت.
ارائه می دهد طراحی دستورالعمل برای کاهش کوپلینگ با اضافه کردن حمایت های خاص.
[box type=”info”]
جهت دسترسی به توضیحات این کتاب در Amazon اینجا کلیک کنید.
در صورت خراب بودن لینک کتاب، در قسمت نظرات همین مطلب گزارش دهید.
با خرید اشتراک، بدون محدودیت، کتاب دانلود کن!
