دانلود کتاب Fundamentals Of Bias Temperature Instability In Mos Transistors – Characterization Methods, Process And Materials Impact, Dc And Ac Modeling, 2016

نام کتاب: Fundamentals Of Bias Temperature Instability In Mos Transistors – Characterization Methods, Process And Materials Impact, Dc And Ac Modeling

نویسنده: Souvik Mahapatra

ویرایش: ۱

سال انتشار: ۲۰۱۶

کد ISBN کتاب: ۹۷۸۸۱۳۲۲۲۵۰۷۲, ۹۷۸۸۱۳۲۲۲۵۰۸۹

فرمت: PDF

تعداد صفحه: ۲۶۹

انتشارات: Springer India

Description About Book Fundamentals Of Bias Temperature Instability In Mos Transistors – Characterization Methods, Process And Materials Impact, Dc And Ac Modeling From Amazon


This book aims to cover different aspects of Bias Temperature Instability (BTI). BTI remains as an important reliability concern for CMOS transistors and circuits. Development of BTI resilient technology relies on utilizing artefact-free stress and measurement methods and suitable physics-based models for accurate determination of degradation at end-of-life and understanding the gate insulator process impact on BTI. This book discusses different ultra-fast characterization techniques for recovery artefact free BTI measurements. It also covers different direct measurements techniques to access pre-existing and newly generated gate insulator traps responsible for BTI. The book provides a consistent physical framework for NBTI and PBTI respectively for p- and n- channel MOSFETs, consisting of trap generation and trapping. A physics-based compact model is presented to estimate measured BTI degradation in planar Si MOSFETs having differently processed SiON and HKMG gate insulators, in planar SiGe MOSFETs and also in Si FinFETs. The contents also include a detailed investigation of the gate insulator process dependence of BTI in differently processed SiON and HKMG MOSFETs. The book then goes on to discuss Reaction-Diffusion (RD) model to estimate generation of new traps for DC and AC NBTI stress and Transient Trap Occupancy Model (TTOM) to estimate charge occupancy of generated traps and their contribution to BTI degradation. Finally, a comprehensive NBTI modeling framework including TTOM enabled RD model and hole trapping to predict time evolution of BTI degradation and recovery during and after DC stress for different stress and recovery biases and temperature, during consecutive arbitrary stress and recovery cycles and during AC stress at different frequency and duty cycle. The contents of this book should prove useful to academia and professionals alike.

درباره کتاب Fundamentals Of Bias Temperature Instability In Mos Transistors – Characterization Methods, Process And Materials Impact, Dc And Ac Modeling ترجمه شده از گوگل


هدف از این کتاب برای پوشش جنبه های مختلف تعصب بی ثباتی دما (BTI). BTI به عنوان یک نگرانی قابلیت اطمینان مهم برای ترانزیستورهای CMOS و مدارهای باقی مانده است. توسعه فن آوری انعطاف پذیر BTI در استفاده از استرس و اندازه گیری روش رایگان-مصنوع و مدل های مبتنی بر فیزیک مناسب برای تعیین دقیق از تخریب در پایان زندگی و درک تاثیر فرآیند عایق دروازه در BTI متکی است. این کتاب مورد بحث تکنیک های مختلف خصوصیات فوق العاده سریع برای بازیابی مصنوع اندازه گیری BTI رایگان. همچنین برای دسترسی از قبل موجود و تازه تولید تله دروازه عایق مسئول BTI را پوشش می دهد از تکنیک های مختلف اندازه گیری مستقیم. این کتاب یک چارچوب فیزیکی سازگار برای NBTI و PBTI فراهم می کند به ترتیب برای ماسفت کانال P و N-، متشکل از نسل دام و دام انداختن. مدل جمع و جور مبتنی بر فیزیک ارائه شده است به منظور برآورد اندازه گیری تخریب BTI در مسطح سی ماسفت داشتن متفاوت پردازش Sion و HKMG عایق دروازه، در مسطح شده Sige MOSFET ها و همچنین در Si FinFETs. محتویات همچنین شامل یک بررسی دقیق از وابستگی فرآیند عایق دروازه BTI در متفاوت پردازش Sion و HKMG ماسفت. کتاب و سپس در ادامه به بحث مدل واکنش-انتشار (RD) به منظور برآورد نسل از تله جدید برای DC و AC استرس NBTI و گذرا دام اشغال مدل (TTOM) به منظور برآورد اشغال مسئول تله تولید و سهم خود را به تخریب BTI. در نهایت، یک چارچوب جامع مدل سازی NBTI از جمله TTOM مدل RD و سوراخ را فعال کنید به دام انداختن به پیش بینی زمان تکامل تخریب BTI و بازیابی در طول و بعد از استرس DC برای استرس و بهبود تعصبات مختلف و دما، در طول چرخه استرس و بهبود خودسرانه متوالی و در طول استرس AC در فرکانس های مختلف و چرخه. استفاده از مطالب این کتاب باید به دانشگاه ها و حرفه ای به طور یکسان مفید باشد.

 جهت دسترسی به توضیحات این کتاب در Amazon اینجا کلیک کنید.

یک پیشنهاد عالی!
با خرید اشتراک، بدون محدودیت، کتاب دانلود کن!
بازنویسی متن پایان نامه و مقاله بازنویسی متن پایان نامه و مقاله

دیدگاهتان را بنویسید

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *