دانلود کتاب Variation-Aware Advanced Cmos Devices And Sram, 2016

نام کتاب: Variation-Aware Advanced Cmos Devices And Sram

نویسنده: Changhwan Shin

ویرایش: ۱

سال انتشار: ۲۰۱۶

کد ISBN کتاب: ۹۷۸۹۴۰۱۷۷۵۹۵۳, ۹۷۸۹۴۰۱۷۷۵۹۷۷

فرمت: PDF

تعداد صفحه: ۱۴۰

انتشارات: Springer Netherlands

Description About Book Variation-Aware Advanced Cmos Devices And Sram From Amazon


This book provides a comprehensive overview of contemporary issues in complementary metal-oxide semiconductor (CMOS) device design, describing how to overcome process-induced random variations such as line-edge-roughness, random-dopant-fluctuation, and work-function variation, and the applications of novel CMOS devices to cache memory (or Static Random Access Memory, SRAM). The author places emphasis on the physical understanding of process-induced random variation as well as the introduction of novel CMOS device structures and their application to SRAM.

The book outlines the technical predicament facing state-of-the-art CMOS technology development, due to the effect of ever-increasing process-induced random/intrinsic variation in transistor performance at the sub-30-nm technology nodes. Therefore, the physical understanding of process-induced random/intrinsic variations and the technical solutions to address these issues plays a key role in new CMOS technology development. This book aims to provide the reader with a deep understanding of the major random variation sources, and the characterization of each random variation source. Furthermore, the book presents various CMOS device designs to surmount the random variation in future CMOS technology, emphasizing the applications to SRAM.

درباره کتاب Variation-Aware Advanced Cmos Devices And Sram ترجمه شده از گوگل


این کتاب فراهم می کند مروری جامع از مسائل معاصر در مکمل نیمه هادی اکسید فلزی (CMOS) طراحی دستگاه، توصیف چگونه برای غلبه بر تغییرات تصادفی-روند القاء مانند خط، لبه، زبری، تصادفی ناخالصی-نوسان و تغییر تابع کار، و برنامه های کاربردی از دستگاه های CMOS رمان به حافظه کش (یا استاتیک دسترسی تصادفی حافظه، SRAM). تاکید مکان نویسندهدر درک فیزیکی از تغییرات تصادفی-روند القاء و همچنین معرفی CMOS رمان ساختارهای دستگاه و کاربرد آنها به SRAM.

این کتاب به تشریح این مخمصه فنی مواجه دولت از هنر، توسعه تکنولوژی CMOS، به علت اثر روزافزون تصادفی تنوع روند القاء / ذاتی در عملکرد ترانزیستور در گره تکنولوژی زیر ۳۰ نانومتر است. بنابراین، درک فیزیکی تصادفی / تغییرات ذاتی فرایند القاء شده و راه حل های فنی برای رسیدگی به این مسائل نقش کلیدی در توسعه های جدید از تکنولوژی CMOS ایفا می کند. این اهداف کتاب به ارائه خواننده را با یک درک عمیق از منابع عمده تغییرات تصادفی، و خصوصیات هر منبع تغییرات تصادفی. علاوه بر این، ارائه کتاب CMOS های مختلف دستگاه طراحی برای غلبه بر تغییرات تصادفی در تکنولوژی آینده CMOS، با تاکید بر برنامه های کاربردی به SRAM.

 جهت دسترسی به توضیحات این کتاب در Amazon اینجا کلیک کنید.

یک پیشنهاد عالی!
با خرید اشتراک، بدون محدودیت، کتاب دانلود کن!
بازنویسی متن پایان نامه و مقاله بازنویسی متن پایان نامه و مقاله

دیدگاهتان را بنویسید

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *